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Ebenheitsmessung eines Wafers mit 3D-Profilometrie
In dieser Anwendung wird das Nanovea ST400 Profilometer wird verwendet, um den Querschnitt einer Wafer-Anordnung zu messen. Die gemessene Fläche wurde nach dem Zufallsprinzip ausgewählt und als groß genug angenommen, um Annahmen über eine viel größere Fläche treffen zu können. Oberfläche Ebenheitsmessung, Ebenheit und andere Oberflächenparameter werden zur Analyse der Oberfläche verwendet.
